[发明专利]集成电路存储器设备无效
| 申请号： | 201210167767.4 | 申请日： | 2012-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN102800352A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 辛忠善;崔周善 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/4063 | 分类号： | G11C11/4063;G11C11/4093 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体存储器设备包括：形成在一个芯片上的多个存储器区域，每个存储器区域具有形成为2k比特的密度或容量的多个易失性存储器单元和用于输入和输出易失性存储器单元的数据的多个输入/输出（I/O）端子，其中，K是大于或等于0的整数；以及至少一个外围区域，其基于从外部输入的命令和地址来控制用于将数据写入存储器区域的写操作和用于从存储器区域读取数据的读操作。因此，存储器区域的总体或整体密度对应于非标准（或“临时”）密度，从而半导体存储器设备可以具有临时密度。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 存储器 设备 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器设备，其包括：形成在一个芯片上的多个存储器区域，每个存储器区域具有形成为2K比特密度的多个易失性存储器单元以及用于输入和输出易失性存储器单元的数据的多个输入/输出（I/O）端子，其中，K是大于或等于0的整数，而且存储器区域的整体密度对应于临时密度；以及至少一个外围区域，其被配置以基于外部输入的命令和地址来控制用于将数据写入存储器区域的写操作和用于从存储器区域读取数据的读操作。
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