[发明专利]集成电路存储器设备

权利要求书

1.一种半导体存储器设备，其包括：

形成在一个芯片上的多个存储器区域，每个存储器区域具有形成为2^K比特密度的多个易失性存储器单元以及用于输入和输出易失性存储器单元的数据的多个输入/输出（I/O）端子，其中，K是大于或等于0的整数，而且存储器区域的整体密度对应于临时密度；以及

至少一个外围区域，其被配置以基于外部输入的命令和地址来控制用于将数据写入存储器区域的写操作和用于从存储器区域读取数据的读操作。

2.如权利要求1所述的设备，其中，所述存储器区域包括：

第一存储器区域，其具有形成为2^M比特的密度的多个第一易失性存储器单元以及用于输入和输出第一易失性存储器单元的数据的多个第一I/O端子，其中，M是大于或等于0的整数；以及

第二存储器区域，其具有形成为2^N比特的密度的多个第二易失性存储器单元以及用于输入和输出第二易失性存储器单元的数据的多个第二I/O端子，其中，N是大于或等于0的整数并且N不等于M。

3.如权利要求2所述的设备，其中，第一I/O端子的数目和/或第二I/O端子的数目能够分别表示为2^L，其中，L分别是大于或等于0的整数。

4.如权利要求3所述的设备，其中，第一I/O端子的数目与第二I/O端子的数目相同。

5.如权利要求3所述的设备，其中，第一I/O端子的数目与第二I/O端子的数目不同。

6.如权利要求2所述的设备，其中，第一存储器区域和第二存储器区域属于半导体存储器模块的相同存储颗粒。

7.如权利要求6所述的设备，其中，第一I/O端子和第二I/O端子作为芯片I/O端子同时操作，而且其中，芯片I/O端子的数目对应于第一I/O端子的数目和第二I/O端子的数目的总和。

8.如权利要求2所述的设备，其中，第一存储器区域和第二存储器区域属于半导体存储器模块的不同存储颗粒。

9.如权利要求8所述的设备，其中，第一I/O端子和第二I/O端子响应于至少一个芯片选择信号而作为芯片I/O端子选择性地操作，而且其中，芯片I/O端子的数目对应于第一I/O端子的数目或第二I/O端子的数目。

10.如权利要求1所述的设备，其中，半导体存储器设备包括在半导体存储器封装中，而且其中，半导体存储器封装通过单片封装、双管芯封装、或穿透硅通孔双管芯堆叠封装来实施。

11.一种集成电路存储器设备，其包括：

位于相同存储器芯片上的多个存储器区域，每个存储器区域具有以比特为单位定义的各自存储器容量，其中，位于相同存储器芯片上的存储器区域的各自存储器容量的总和不能表示为2的幂；以及

至少一个外围区域，其被配置以响应于从外部存储器控制器接收到的地址信号和命令信号来控制多个存储器区域的读操作或写操作。

12.如权利要求11所述的设备，其中，多个存储器区域包括：

第一存储器区域，其包括具有2^M比特的第一存储器容量的多个第一存储器单元以及耦合到存储器单元的多个第一输入/输出端子，其中，M是大于或等于0的整数；以及

第二存储器区域，其包括具有2^N比特的第二存储器容量的多个第二存储器单元以及耦合到存储器单元的多个第二输入/输出端子，其中，N是大于或等于0的整数并且N不等于M，

其中，第一存储器容量和第二存储器容量的总和不是2的幂。

13.如权利要求12所述的设备，还包括：

I/O连接块，其被配置以将第一输入/输出端子和/或第二输入/输出端子连接到相同存储器芯片的芯片输入/输出端子。

14.如权利要求13所述的设备，其中，芯片输入/输出端子的数量不是2的幂。

15.如权利要求13所述的设备，其中，芯片输入/输出端子的数量对应于第一输入/输出端子的数量和第二输入/输出端子的数量的总和，而且其中，I/O连接块被配置以将第一输入/输出端子和第二输入/输出端子同时连接到芯片输入/输出端子。