[发明专利]超级结制备工艺方法有效
| 申请号： | 201210163767.7 | 申请日： | 2012-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN103035528A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 刘远良;刘继全 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超级结制备工艺方法，在深沟槽内填充P型单晶硅形成P型柱时，该P型柱的形成分两步生长，首先生长轻掺杂的第一层P型外延层用于平衡临近P型柱的N型外延层，然后再生长掺杂浓度相对第一层P型外延层浓度高的第二层P型外延层，并且第二层P型外延层高度从底端到沟槽的顶端距离为整个沟槽深度的1/4至1/3。本发明通过改善超级结制备过程中深沟槽填充工艺流程，改变P柱顶端的浓度，进而能够改善器件的雪崩击穿能力。 | ||
| 搜索关键词： | 超级 制备 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种超级结制备工艺方法，其特征在于：在深沟槽内填充P型单晶硅形成P型柱时，该P型柱的形成分两步生长，首先生长轻掺杂的第一层P型外延层用于平衡临近N型柱的N型外延层，该第一层P型外延层的掺杂浓度依据所使用的硅片衬底表面N型外延层的掺杂浓度确定；然后再生长掺杂浓度相对第一层P型外延层浓度高的第二层P型外延层，并且第二层P型外延层从底端到沟槽的顶端距离为整个沟槽深度的1/4至1/3。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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