[发明专利]超级结制备工艺方法

权利要求书

1.一种超级结制备工艺方法，其特征在于：在深沟槽内填充P型单晶硅形成P型柱时，该P型柱的形成分两步生长，首先生长轻掺杂的第一层P型外延层用于平衡临近N型柱的N型外延层，该第一层P型外延层的掺杂浓度依据所使用的硅片衬底表面N型外延层的掺杂浓度确定；然后再生长掺杂浓度相对第一层P型外延层浓度高的第二层P型外延层，并且第二层P型外延层从底端到沟槽的顶端距离为整个沟槽深度的1/4至1/3。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述深沟槽是通过一层光罩层定义出深沟槽的图案，采用干法刻蚀形成的。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：所述干法刻蚀深沟槽时可以采用氧化物层作为硬光罩层，首先刻蚀硬光罩层，然后再刻蚀深沟槽；或者不用硬光罩层，直接刻蚀形成深沟槽。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述P型柱采用选择性外延填充方式在所述深沟槽中填充P型单晶硅形成，然后用化学机械研磨CMP方法将其表面磨平。