[发明专利]一种梯度铁电薄膜太阳能电池的制备方法有效
申请号: | 201210163042.8 | 申请日: | 2012-05-24 |
公开(公告)号: | CN102651428A | 公开(公告)日: | 2012-08-29 |
发明(设计)人: | 邱建华;丁建宁;袁宁一;陈智慧;王秀琴 | 申请(专利权)人: | 常州大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/032;C23C14/35;C23C14/08 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 楼高潮 |
地址: | 213164 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明属于半导体材料技术领域,具体涉及一种铁电薄膜太阳能电池的制备方法,尤其是指一种基于梯度BiFeO3薄膜的太阳能电池。本发明提出多层BiFeO3薄膜的光学带隙梯度设计及梯度BiFeO3薄膜太阳能电池的制备,通过BiFeO3薄膜的梯度设计增加对太阳光的吸收,从而提高BiFeO3薄膜太阳能电池的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 梯度 薄膜 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种梯度铁电薄膜太阳能电池的制备方法,其特征在于包括如下步骤:第一步:基底清洗;第二步:制备下电极;第三步:利用磁控溅射方法制备‑光学带隙梯度变化的BiFeO3薄膜;第四步:制备上电极;第五步:测试梯度BiFeO3薄膜太阳能电池的光学和电学性质;所述方法第三步,采用磁控溅射方法制备梯度BiFeO3薄膜;靶材选择Bi1.1FeO3陶瓷靶;工艺条件为:溅射功率为70‑90W,沉积温度为650‑750 ℃,Ar:O2的流量比1:15‑11:1,腔体压力为0.01‑1 Pa,薄膜的厚度为15‑300 nm;所述梯度BiFeO3薄膜由三层构成,通过逐步提高每层薄膜沉积时的Ar与O2的流量比、逐步提高每层薄膜沉积时的沉积温度或逐步提高每层薄膜沉积时的腔体压力制备得到梯度BiFeO3薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的