[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210162478.5 | 申请日： | 2007-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN102693919A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;铃木幸惠;荒井康行;守屋芳隆;池田佳寿子;棚田好文;高桥修平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张金金;王忠忠 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件，其具有半导体层、覆盖所述半导体层的端部的栅电极和用于使所述半导体层和所述栅电极绝缘的绝缘层。使所述半导体层与所述栅电极相互重叠的区域绝缘的绝缘层的膜厚度大于覆盖所述半导体层的中央部分绝缘层的膜厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括：在绝缘表面上形成半导体层；在所述半导体层上形成起着栅极绝缘膜作用的第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成掩模，在形成所述掩模之后，去除所述第二绝缘层，以形成覆盖所述半导体层的端部的第三绝缘层；以及在所述第一绝缘层上形成起着栅电极作用的导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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