[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括：

在绝缘表面上形成半导体层；

在所述半导体层上形成起着栅极绝缘膜作用的第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层；

在所述第二绝缘层上形成掩模，

在形成所述掩模之后，去除所述第二绝缘层，以形成覆盖所述半导体层的端部的第三绝缘层；以及

在所述第一绝缘层上形成起着栅电极作用的导电层。

2.一种半导体器件的制造方法，包括：

在绝缘表面上形成半导体层；

在所述半导体层上形成掩模，所述掩模具有顶边大于底边的梯形形状；

在所述半导体层和具有所述梯形的所述掩模的每者上形成第一绝缘层，

在形成所述第一绝缘层之后，去除具有所述梯形形状的所述掩模，以形成覆盖所述半导体层的端部的第二绝缘层；

在所述第二绝缘层和所述半导体层的暴露部分上形成起着栅极绝缘膜作用的第三绝缘层；以及

在所述第三绝缘层上形成起着栅电极作用的导电层。

3.一种半导体器件的制造方法，包括：

在绝缘表面上形成半导体层；

在所述半导体层上形成起着栅极绝缘膜作用的第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成掩模，所述掩模具有顶边大于底边的梯形形状；

在所述第一绝缘层和具有所述梯形的所述掩模的每者上形成第二绝缘层，

在形成所述第二绝缘层之后，去除具有所述梯形形状的所述掩模，以形成覆盖所述半导体的端部的第三绝缘层；以及

在所述第二绝缘层上形成起着栅电极作用的导电层。

4.一种半导体器件的制造方法，包括：

在绝缘表面上形成半导体层；

在所述半导体层上形成掩模；

在所述半导体层和所述掩模上形成第一绝缘层；

部分去除所述掩模和所述第一绝缘层，

在部分去除所述掩模和所述第一绝缘层之后，去除所述掩模的其余部分，以形成覆盖所述半导体层的端部的第二绝缘层；

在所述第二绝缘层和所述半导体层的暴露部分上形成起着栅极绝缘膜作用的第三绝缘层；以及

在所述第三绝缘层上形成起着栅电极作用的导电层。

5.一种半导体器件的制造方法，包括：

在绝缘表面上形成半导体层；

在所述半导体层上形成起着栅极绝缘膜作用的第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成掩模；

在所述第一绝缘层和所述掩模上形成第二绝缘层；

部分去除所述掩模和所述第一绝缘层，

去除所述掩模的其余部分，以形成覆盖所述半导体层的端部的第三绝缘层。

6.一种半导体器件的制造方法，包括：

在具有透光特性的衬底上形成半导体层；

在所述半导体层上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上施加抗蚀剂，

在所述第一绝缘层上施加所述抗蚀剂之后，采用所述半导体层，通过所述具有透光特性的衬底，用光照射所述抗蚀剂，从而使所述抗蚀剂曝光；

对所述经曝光的抗蚀剂显影，从而在所述第一绝缘层上形成掩模；

利用所述掩模蚀刻所述第一绝缘层，以形成覆盖所述半导体层的端部的第二绝缘层；

在所述第二绝缘层和所述半导体层的暴露部分上形成起着栅极绝缘膜作用的第三绝缘层；以及

在所述第三绝缘层上形成起着栅电极作用的导电层。

7.一种半导体器件的制造方法，包括：

在具有透光特性的衬底上形成半导体层；

在所述半导体层上形成起着栅极绝缘膜作用的第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层；

在所述第二绝缘层上施加抗蚀剂，

在施加所述抗蚀剂之后，采用所述半导体层，通过所述具有透光特性的衬底，采用光照射所述抗蚀剂，从而使所述抗蚀剂曝光；

对所述经曝光的抗蚀剂显影，从而在所述第二绝缘层上形成掩模；

利用所述掩模蚀刻所述第二绝缘层，以形成覆盖所述半导体层的端部的第三绝缘层；以及

在所述第一绝缘层上形成起着栅电极作用的导电层。