[发明专利]低压超大电流整流管制造方法无效
申请号: | 201210159457.8 | 申请日: | 2012-05-22 |
公开(公告)号: | CN102683201A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 高占成;徐爱民;潘洁 | 申请(专利权)人: | 润奥电子(扬州)制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/329 | 分类号: | H01L21/329 |
代理公司: | 扬州苏中专利事务所(普通合伙) 32222 | 代理人: | 孙忠明 |
地址: | 225006 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种低压超大电流整流管制造方法,属于半导体器件制造技术领域,本发明通过采用NN+外延片作为加工材料进行P型扩散,由于NN+外延片作为加工材料形成PN结平缓,高阻层可精确控制,体电阻小,压降低,承受浪涌冲击电流大,从而提高解决薄片加工易碎片的难题,提高产品的等级合格率,同时还可提高产品的可靠性;基区设计时将相关数据填入对应的公式,使所取得的耐压与压降找到最佳平衡点,将此过程编成程序通过电脑可以迅速找到最佳点,提高了单位面积电流密度,本发明可使18000A/200~400V的整流管峰值通态压降在12000A条件下可小于1.08V,反向阻断电压在200~400V,本发明电流密度更大、电流容量更强、可靠性更高,性能优越、使用成本更低,填补国际空白。 | ||
搜索关键词: | 低压 超大 电流 整流管 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种低压超大电流整流管制造方法,包括扩散、减薄、割圆、烧结、蒸发、台面造型、台面钝化、测试、冷压焊封装、测试工序,其特征是,采用NN+外延片作为加工材料进行P型扩散;基区经微机编程方法设计使耐压与压降取得最佳折中,提高单位面积电流密度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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