[发明专利]低压超大电流整流管制造方法

权利要求书

1.一种低压超大电流整流管制造方法，包括扩散、减薄、割圆、烧结、蒸发、台面造型、台面钝化、测试、冷压焊封装、测试工序，其特征是，采用NN+外延片作为加工材料进行P型扩散；基区经微机编程方法设计使耐压与压降取得最佳折中，提高单位面积电流密度。

2.根据权利要求1所述的低压超大电流整流管制造方法，其特征是，所述NN+外延片高阻层电阻率ρｎ为10～１5Ω－ｃｍ、直径为73～７6ｍｍ、高阻层厚度50～60μm。

3.根据权利要求1所述的低压超大电流整流管制造方法，所述P型扩散在１２５０℃±2℃范围内进行。

4.根据权利要求1所述的低压超大电流整流管及其制造方法，所述P型扩散的扩散区表面浓区表面浓度10²¹/cm²，结深Ｘ_［ｊＰ］为2８～3２μｍ，基区残余少子寿命τｐ为９～１３μＳ。

5.根据权利要求1所述的低压超大电流整流管制造方法，所述烧结采用纳米银真空烧结，纳米银真空烧结是将硅片阳极面与涂敷有纳米银浆凹槽面的钼片按设计厚度依次放入模具中，将模具放入真空烘箱中，随烘箱从室温升至220-280℃，保温2-3小时，随烘箱自然降温至室温。

6.根据权利要求1所述的低压超大电流整流管制造方法，所述蒸发采用电子束蒸发台使阴极铝层厚度为20～30微米。

7.根据权利要求1所述的低压超大电流整流管制造方法，所述台面终端钝化使用聚酰亚胺，将KJR651E型聚酰亚胺均匀地涂敷在清洁的芯片台面上，然后在真空烘箱中按第一步实际温度150℃±10℃，时间1.5h，第二步实际温度220±10℃，时间5h进行固化。