[发明专利]半导体微波炉有效
申请号: | 201210159268.0 | 申请日: | 2012-05-21 |
公开(公告)号: | CN102679417A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 唐相伟;欧军辉 | 申请(专利权)人: | 广东美的微波电器制造有限公司;美的集团有限公司 |
主分类号: | F24C7/02 | 分类号: | F24C7/02;F24C7/08 |
代理公司: | 佛山市粤顺知识产权代理事务所 44264 | 代理人: | 唐强熙;邹涛 |
地址: | 528311 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种半导体微波炉,包括向半导体功率源供电的电源,控制系统控制半导体功率源发出2400MHz~2500MHz微波馈入到微波炉腔体内,加热微波炉腔体内的食物,半导体功率源包括二个以上的LDMOS管、偏压及控制电路、功率检测及控制电路和功率合成器,其中,二个以上的LDMOS管的一端并联,二个以上的LDMOS管的另一端与偏压及控制电路相接,二个以上的LDMOS管的输出端并联后输入到功率合成器,该功率合成器与功率检测及控制电路的一端相接,功率检测及控制电路的另一端与偏压及控制电路相接。本发明对半导体微波源的微波发生结构进行了简化,降低了成本,提升了可靠性能,具有制作成本低和可靠性好的特点。 | ||
搜索关键词: | 半导体 微波炉 | ||
【主权项】:
一种半导体微波炉,包括向半导体功率源(1)供电的电源(4),控制系统(3)控制半导体功率源(1)发出2400MHz~2500MHz微波馈入到微波炉腔体(2)内,加热微波炉腔体(2)内的食物,其特征是半导体功率源(1)包括二个以上的LDMOS管、偏压及控制电路(41)、功率检测及控制电路(42)和功率合成器(43),其中,二个以上的LDMOS管的一端并联,二个以上的LDMOS管的另一端与偏压及控制电路(41)相接,二个以上的LDMOS管的输出端并联后输入到功率合成器(43),该功率合成器(43)与功率检测及控制电路(42)的一端相接,功率检测及控制电路(42)的另一端与偏压及控制电路(41)相接。
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