[发明专利]基于电子束熔炼利用引锭杆制造多晶硅的装置及方法有效
| 申请号： | 201210158930.0 | 申请日： | 2012-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN103420375A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 张普允;李镇石;金儁秀;安永洙 | 申请（专利权）人： | 韩国能量技术研究院 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 许向彤;林锦辉 |
| 地址： | 大田*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本公开提供一种利用引锭杆作为起熔块来提高硅精炼效率的高纯度多晶硅制造方法和装置。所述装置包括：真空室；第一电子枪和第二电子枪，布置在真空室的上侧，从而将电子束照射到所述真空室中；硅熔炼单元，放置在与第一电子枪对应的第一电子束照射区域上，并且粉末状原料硅被供给到该硅熔炼单元并且被第一电子束熔炼；以及单向凝固单元，放置在与第二电子枪对应的第二电子束照射区域上。单向凝固单元中设置有起熔块，沿着向下方向驱动该起熔块，以便沿着向下方向传送所述熔融硅，并且单向凝固单元的下部形成有冷却通道，使得熔融硅从所述熔融硅的下部到上部被凝固和铸造。这里，起熔块包括引锭杆，该引锭杆具有与该引锭杆的上部接合的硅扣。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 电子束 熔炼 利用 引锭杆 制造 多晶 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅制造装置，包括：真空室；第一电子枪和第二电子枪，布置在所述真空室的上侧，从而将电子束照射到所述真空室中；硅熔炼单元，放置在与所述第一电子枪对应的第一电子束照射区域上，并且粉末状原料硅被供给到该硅熔炼单元并且被所述第一电子束熔化；以及单向凝固单元，放置在与所述第二电子枪对应的第二电子束照射区域上，所述单向凝固单元中设置有起熔块，沿着向下方向驱动该起熔块，以便沿着向下方向传送熔融硅，并且所述单向凝固单元的下部形成有冷却通道，使得所述熔融硅从所述熔融硅的下部到上部凝固和被铸造，所述起熔块包括引锭杆，该引锭杆具有与该引锭杆的上部接合的硅扣。
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