[发明专利]沟槽栅场效应晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 201210158075.3 | 申请日： | 2006-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN102738239A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 哈姆扎·耶尔马兹;丹尼尔·卡拉菲特;克里斯托弗·博古斯瓦·科考恩;史蒂文·P·萨普;迪安·E·普罗布斯特;内森·L·克拉夫特;托马斯·E·格雷布斯;罗德尼·S·里德利;加里·M·多尔尼;布鲁斯·D·马钱特;约瑟夫·A·叶季纳科 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 李丙林;刘书芝 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及沟槽栅效应晶体管及其制造方法。本发明涉及一种场效应晶体管，包括：栅沟槽，延伸进入外延层；栅极，置于栅沟槽中；源极区，掺杂有掺杂物并邻近栅沟槽的侧壁；导电材料，置于栅极上方的栅沟槽中并通过栅沟槽的侧壁与源极区电性接触；以及隔离层，置于栅极和导电材料之间。本发明改进了沟槽栅FET的物理和执行特性。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管，包括：栅沟槽，延伸进入外延层；栅极，置于所述栅沟槽中；源极区，掺杂有掺杂物并邻近所述栅沟槽的侧壁；导电材料，置于所述栅极上方的所述栅沟槽中并通过所述栅沟槽的所述侧壁与所述源极区电性接触；以及隔离层，置于所述栅极和所述导电材料之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于飞兆半导体公司，未经飞兆半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210158075.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
