[发明专利]一种非易失存储器的擦除方法及装置有效
| 申请号： | 201210153214.3 | 申请日： | 2012-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN103426474A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 苏志强;张现聚;丁冲;胡洪 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 赵娟 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非易失存储器的擦除方法及装置，其中所述方法包括：对目标擦除对象进行预编程操作，所述预编程操作是指对目标擦除对象中的存储单元写入0；校验所述预编程操作是否成功，所述校验为判断目标擦除对象中经过预编程操作的存储单元在一定栅极电压下的电流是否全部小于目标电流值，所述目标电流值为具有电流裕度的电流值；若成功，则执行下一步，否则，返回执行预编程操作；对所述目标擦除对象进行擦除操作，所述擦除操作是指对目标擦除对象中的存储单元写入1；对所述目标擦除对象进行过擦除验证操作，所述过擦除验证操作是指调整目标擦除对象中存储单元的阈值电压。本发明可以提高非易失存储器的擦除速度，从而提高存储器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 非易失 存储器 擦除 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种非易失存储器的擦除方法，其特征在于，包括：对目标擦除对象进行预编程操作，所述预编程操作是指对目标擦除对象中的存储单元写入0；校验所述预编程操作是否成功，所述校验为判断目标擦除对象中经过预编程操作的存储单元在一定栅极电压下的电流是否全部小于目标电流值，所述目标电流值为具有电流裕度的电流值；若成功，则执行下一步，否则，返回执行预编程操作；对所述目标擦除对象进行擦除操作，所述擦除操作是指对目标擦除对象中的存储单元写入1；对所述目标擦除对象进行过擦除验证操作，所述过擦除验证操作是指调整目标擦除对象中存储单元的阈值电压。
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