[发明专利]一种非易失存储器的擦除方法及装置

说明书

技术领域

本申请涉及半导体存储器技术领域，特别是涉及一种非易失存储器的擦除方法，以及一种非易失存储器器件的擦除装置。

背景技术

存储器中存在着两种基本存储单元(cell)，erase(擦除)cell和program(PGM，编程)cell，也即“1”和“0”，因此对应也就存在着擦除和编程这两种存储器单元的基本操作。其中，将“0”cell变为“1”cell的过程，称为擦除；将“1”cell变为“0”cell的过程，称为编程。擦除速度和编程速度是衡量存储器性能的两项重要指标，本申请主要涉及擦除。

现有技术中，存储器的擦除机制如图1所示，其原理如下：

Step1：对需要进行擦除操作的目标block(块)进行Pre_PGM(预编程)操作，目的是将所有的cell都编程为同样的“0”状态cell，也即高阈值状态。

Step2：第一个erase pulse(擦除脉冲)到来，对已经进行了预编程的cell进行擦除。紧接着，需要做OEV1(过擦除验证)操作，目的是对可能存在的被过擦除了的阈值低于0V的cell进行一次较弱的编程，将其阈值推到0V以上。下一步是EV(擦除验证)操作，如果不过，则再次进行擦除，第二个擦除脉冲到来，如此循环往复，直到erase counter(擦除次数)达到最大数或者EV通过，而后跳出循环，进行OEV2操作。OEV2和OEV1的目的相似，进一步推高cell阈值以消除亚阈值导通漏电。至此，完成了对目标block或sector(扇区)的擦除操作。

参考图2所示的上述现有技术中的存储器擦除机制过程的示意图。具体而言，Pre_PGM操作是否完成的判断依据是所有cell是否通过了一个作为参考的PV验证(编程验证)状态。在现有的编程验证(PV)中，这个状态对应于6.8V栅压，16uA电流。当block中所有cell在这个6.8V电压下的电流全部小于16uA时，就代表着Pre_PGM操作完成，进入上Step2。

现有技术的存储器擦除过程主要存在着两个主要缺点：

第一，由于作为参考的PV状态对应阈值较高，这意味着Pre_PGM时间较长，特别是对那些位于PV状态附近的少数cell，因此这会影响整个擦除速度；

第二，对于那些阈值较高的cell，可能会造成Over Program(过编程)，而对这些过编程了的cell再进行erase擦除时，又会需要更多浪费的时间，这也影响着擦除速度。

因此，目前需要本领域技术人员迫切解决的一个技术问题就是：如何能够创新地提出一种非易失存储器的擦除机制，用以提高非易失存储器的擦除速度，从而提高存储器的性能。

发明内容

本申请所要解决的技术问题是提供一种非易失存储器的擦除方法及装置，以及一种非易失存储器，用以提高非易失存储器的擦除速度，从而提高存储器的性能。

为了解决上述技术问题，本申请实施例公开了一种非易失存储器的擦除方法，包括：

对目标擦除对象进行预编程操作，所述预编程操作是指对目标擦除对象中的存储单元写入0；

校验所述预编程操作是否成功，所述校验为判断目标擦除对象中经过预编程操作的存储单元在一定栅极电压下的电流是否全部小于目标电流值，所述目标电流值为具有电流裕度的电流值；若成功，则执行下一步，否则，返回执行预编程操作；

对所述目标擦除对象进行擦除操作，所述擦除操作是指对目标擦除对象中的存储单元写入1；

对所述目标擦除对象进行过擦除验证操作，所述过擦除验证操作是指调整目标擦除对象中存储单元的阈值电压。

优选地，所述目标擦除对象为片chip，块block或扇区sector。

优选地，所述具有电流裕度的电流值为高于标准编程验证电流的电流值。

优选地，所述具有电流裕度的电流值为比标准编程验证电流高2uA——6uA中某一值的电流值。

优选地，所述的方法，还包括：

校验所述擦除操作是否成功，若否，则返回执行擦除操作。

本申请实施例还公开了一种非易失存储器的擦除装置，包括：

预编程模块，用于对目标擦除对象进行预编程操作，所述预编程操作是指对目标擦除对象中的存储单元写入0；

预编程校验模块，用于校验所述预编程操作是否成功，所述校验为判断目标擦除对象中经过预编程操作的存储单元在一定栅极电压下的电流是否全部小于目标电流值，所述目标电流值为具有电流裕度的电流值；若成功，则调用擦除模块，否则，调用所述预编程模块；