[发明专利]一种非易失存储器的擦除方法及装置有效
| 申请号： | 201210153214.3 | 申请日： | 2012-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN103426474A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 苏志强;张现聚;丁冲;胡洪 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 赵娟 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 非易失 存储器 擦除 方法 装置 | ||
1.一种非易失存储器的擦除方法，其特征在于，包括：
对目标擦除对象进行预编程操作，所述预编程操作是指对目标擦除对象中的存储单元写入0；
校验所述预编程操作是否成功，所述校验为判断目标擦除对象中经过预编程操作的存储单元在一定栅极电压下的电流是否全部小于目标电流值，所述目标电流值为具有电流裕度的电流值；若成功，则执行下一步，否则，返回执行预编程操作；
对所述目标擦除对象进行擦除操作，所述擦除操作是指对目标擦除对象中的存储单元写入1；
对所述目标擦除对象进行过擦除验证操作，所述过擦除验证操作是指调整目标擦除对象中存储单元的阈值电压。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标擦除对象为片chip，块block或扇区sector。
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述具有电流裕度的电流值为高于标准编程验证电流的电流值。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述具有电流裕度的电流值为比标准编程验证电流高2uA——6uA中某一值的电流值。
5.如权利要求1、2或4所述的方法，其特征在于，还包括：
校验所述擦除操作是否成功，若否，则返回执行擦除操作。
6.一种非易失存储器的擦除装置，其特征在于，包括：
预编程模块，用于对目标擦除对象进行预编程操作，所述预编程操作是指对目标擦除对象中的存储单元写入0；
预编程校验模块，用于校验所述预编程操作是否成功，所述校验为判断目标擦除对象中经过预编程操作的存储单元在一定栅极电压下的电流是否全部小于目标电流值，所述目标电流值为具有电流裕度的电流值；若成功，则调用擦除模块，否则，调用所述预编程模块；
擦除模块，用于对所述目标擦除对象进行擦除操作，所述擦除操作是指对目标擦除对象中的存储单元写入1；
过擦除验证模块，用于对所述目标擦除对象进行过擦除验证操作，所述过擦除验证操作是指调整目标擦除对象中存储单元的阈值电压。
7.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述目标擦除对象为片chip，块block或扇区sector。
8.如权利要求6或7所述的装置，其特征在于，所述具有电流裕度的电流值为高于标准编程验证电流的电流值。
9.如权利要求8所述的装置，其特征在于，所述具有电流裕度的电流值为比标准编程验证电流高2uA——6uA中某一值的电流值。
10.如权利要求6、7或9所述的装置，其特征在于，还包括：
擦除校验模块，用于校验所述擦除操作是否成功，若否，则调用所述擦除模块。
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