[发明专利]制备砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的方法无效
| 申请号： | 201210153189.9 | 申请日： | 2012-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN102683491A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 杨晓光;杨涛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0304 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种制备砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的方法，包括如下步骤：步骤1：在一衬底上依次生长n+型GaAs层和本征GaAs缓冲层；步骤2：在本征GaAs缓冲层上生长多周期的量子点结构；步骤3：在多周期的量子点结构上依次生长本征GaAs层、p型GaAs层、p+型GaAs层和p+型Al0.8Ga0.2As层；步骤4：在p+型Al0.8Ga0.2As层上蒸发上金属电极；步骤5：刻蚀上金属电极，使上金属电极形成网状；步骤6：在网状上金属电极上及裸露的p+型Al0.8Ga0.2As层上生长减反层；步骤7：剥离掉覆盖在上金属电极表面的减反层，使上金属电极裸露；步骤8：在衬底的下表面制作下金属电极，形成电池组件；步骤9：对电池组件进行封装，完成太阳电池的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 砷化铟 砷化镓 量子 太阳电池 方法 | ||
【主权项】：
一种制备砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的方法，包括如下步骤：步骤1：在一衬底上依次生长n+型GaAs层和本征GaAs缓冲层；步骤2：在本征GaAs缓冲层上生长多周期的量子点结构；步骤3：在多周期的量子点结构上依次生长本征GaAs层、p型GaAs层、p+型GaAs层和p+型Al0.8Ga0.2As层；步骤4：在p+型Al0.8Ga0.2As层上蒸发上金属电极；步骤5：刻蚀上金属电极，使上金属电极形成网状；步骤6：在网状上金属电极上及裸露的p+型Al0.8Ga0.2As层上生长减反层；步骤7：剥离掉覆盖在上金属电极表面的减反层，使上金属电极裸露；步骤8：在衬底的下表面制作下金属电极，形成电池组件；步骤9：对电池组件进行封装，完成太阳电池的制作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
