[发明专利]磁阻屏蔽体有效
| 申请号： | 201210152859.5 | 申请日： | 2012-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN102810318B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | E·W·辛格尔顿;李宰荣;高凯中;D·V·季米特洛夫;宋电;V·A·维斯科 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 毛力 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种能够增强磁性读取的磁屏蔽体。根据各实施例，磁性元件具有磁性响应性叠层，该叠层被至少一个横向侧屏蔽体屏蔽免受磁通量并被偏磁到预先确定的默认磁化效应，该屏蔽体具有位于第一和第二铁磁层之间的过渡金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 屏蔽 | ||
【主权项】：
一种磁性元件，包括磁性响应性叠层，所述叠层可以由至少一个横向侧屏蔽体屏蔽免受磁通量，所述至少一个横向侧屏蔽体包括位于第一和第二铁磁层之间的过渡金属层，其中，所述磁性响应性叠层具有位于第三和第四铁磁自由层之间的非磁性间隔层，所述第三和第四铁磁自由层被所述侧屏蔽体设置为默认磁化效应，其中，所述侧屏蔽体的每一层都与所述磁性响应性叠层的各层偏移对准以修改在所述磁性响应性叠层上施加的偏磁场强度。
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