[发明专利]磁阻屏蔽体

说明书

发明内容

本发明的各实施例一般性地涉及能够防止磁阻元件免受不期望的磁通量的磁屏蔽体。根据各实施例，磁性元件具有磁性响应性叠层，该叠层可以被屏蔽免受不期望的磁通量，并且可以通过至少一个横向侧屏蔽体而被偏磁到预先确定的默认磁化效应，该屏蔽体具有位于第一和第二铁磁层之间的过渡金属层。

附图简述

图1一般性地示出了根据一个实施例的数据存储设备。

图2是根据一个实施例的数据存储设备的一部分的透视图。

图3一般性地示出了能够用于在图2中所示出的数据存储设备的一部分中的磁性元件。

图4示出了能够用于图3的磁性元件中的磁性元件的框图表示。

图5A示出了根据一个实施例的从空气承载表面观察的磁性元件的一部分的框图表示。

图5B示出了图5A的磁性元件的一部分的等距视图。

图6示出了根据一个实施例的从空气承载表面所观察到的磁性元件的一部分的框图表示。

图7呈现了根据本发明的各实施例所构建和操作的磁性元件。

图8图示了根据本发明的各实施例所操作的磁性元件的操作特征。

图9提供了映射根据本发明的各实施例执行的磁性元件制造例程的流程图。

具体实施方式

本发明一般性地涉及能够防止磁阻(MR)元件免受不期望的磁通量的磁屏蔽体。对更高的数据容量的日益需求更加强调了写入到数据存储介质的数据量，因此，导致数据比特和磁屏蔽体的尺寸缩小。利用较小的数据比特，来自附近数据磁道的磁通量会被无意中地感应，并导致读取器不准确性。同样，较小的磁屏蔽体由于完全防止MR元件免受不期望的磁通量的能力降低，会导致增大的磁性不稳性。

因此，本发明的各实施例一般涉及磁阻(MR)元件，该元件具有磁性响应性叠层，该叠层可以被屏蔽免受不期望的磁通量，并且可以通过至少一个横向侧屏蔽体被偏磁到预先确定的默认磁化效应。横向侧屏蔽体被构建为是位于第一和第二铁磁层之间的至少一个过渡金属层的叠层，其中，可以同时提供对磁性叠层的屏蔽和偏磁。借由跨磁道能力以及更好的磁稳定性，这样的经层叠的横向侧屏蔽体可以提供增强的MR元件操作。

尽管被屏蔽的且被偏磁的元件可以用于各种非限制性应用中，但是，图1提供了根据一个实施例的能够使用磁性元件的数据存储设备100。提供设备100以示出其中可以实施本发明的各实施例的环境。然而，可以理解，权利要求所要求保护的发明不受此限制。

设备100包括由基框104和顶盖(未示出)所形成的基本上被密封的外壳102。位于内部的主轴马达108被配置成靠着一个或多个存储介质110而旋转。介质110由对应的数据转换器阵列所存取，每一个数据转换器都被磁头悬架组件(HGA)112支撑。每一个HGA 112都可以被头叠层组件114(“致动装置”)所支撑，该头叠层组件114包括弹性吊架116，该弹性吊架116又被刚性致动器臂118所支撑。在一个实施例中，致动装置114通过向音圈马达(VCM)122施加电流，而围绕盒式承载组件120进行旋转。

以此方式，VCM 122的受控操作导致HGA 112的转换器124与在介质表面上所定义的磁道(未示出)校准，以向磁道存储数据或从磁道中检取数据。缩小磁道宽度而同时维持转换器124的适当校准的能力可以通过缩小至少一个转换磁性元件的可操作宽度来实现。如此，设备100通过将转换元件与对应于更细微的面积分辨率的降低的可操作宽度进行合并，可以具有增大的容量。

图2示出了图1的数据存储设备100的示例数据转换部分130。转换部分130具有致动组件132，该致动组件132将转换头134定位在能够存储被编程的比特138的磁存储介质136的上方。存储介质136被附接到主轴马达140，主轴马达140在使用过程中旋转以产生空气承载表面(ABS)142，在其上面，致动组件132的滑块部分144飞行，以将包括转换头134的磁头悬架组件146定位在介质136的一部分之上。