[发明专利]磁阻屏蔽体

权利要求书

1.一种磁性元件，包括磁性响应性叠层，所述叠层可以由至少一个横向侧屏蔽体屏蔽免受磁通量，所述至少一个横向侧屏蔽体包括位于第一和第二铁磁层之间的过渡金属层。

2.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述侧屏蔽体的特征在于合成反铁磁性(SAF)结构，所述结构具有钉扎的磁化效应，所述第二铁磁层没有设置的磁化效应并对外部磁场敏感。

3.如权利要求2所述的设备，其特征在于，所述第一铁磁层被接触相邻的反铁磁层所钉扎。

4.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述过渡金属层是钌Ru。

5.如权利要求1所述的设备，其特征在于，第一铁磁层是镍铁NiFe，第二铁磁层是镍钴铁NiCoFe。

6.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述至少一个横向侧屏蔽体同时将所述叠层偏磁到预先确定的默认磁化效应。

7.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述磁性叠层具有位于第三和第四铁磁自由层之间的非磁性间隔层，所述第三和第四铁磁自由层被所述侧屏蔽体设置为默认磁化效应。

8.如权利要求7所述的设备，其特征在于，所述第三和第四铁磁层的所述默认磁化效应具有基本上正交的关系。

9.如权利要求7所述的设备，其特征在于，所述侧屏蔽体的每一层都与所述磁性叠层的各层校准。

10.如权利要求7所述的设备，其特征在于，所述侧屏蔽体的每一层都与所述磁性叠层的各层偏移对准。

11.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述侧屏蔽体与所述磁性叠层被非磁性绝缘层所分离开。

12.一种方法，包括：利用位于第一和第二铁磁层之间的过渡金属层来配置至少一个横向侧屏蔽体，以屏蔽磁性响应性叠层免受磁通量，并将所述叠层偏磁到预先确定的默认磁化效应。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述过渡金属层具有预先确定的厚度，所述预先确定的厚度对应于预先确定的交换耦合能量，所述预先确定的交换耦合能量提供贯穿所述至少一个横向侧屏蔽体的连续反铁磁耦合。

14.一种磁性元件，包括：

磁性响应性叠层，包括被非磁性间隔层所分隔的第一和第二铁磁自由层；以及

至少一个侧屏蔽体，包括位于第三和第四铁磁自由层之间的过渡金属层，并与所述叠层横向地相邻，以屏蔽所述叠层免受磁通量，并将所述第一和第二自由层偏磁到预先确定的默认磁化效应。

15.如权利要求14所述的磁性元件，其特征在于，所述第三自由层、第四自由层、以及过渡金属层中每一层都连续地沿着所述磁性元件的全部宽度并沿着所述叠层的侧壁的大部分而延伸。

16.如权利要求15所述的磁性元件，其特征在于，至少所述第四自由层直接接触所述叠层的顶表面。

17.如权利要求15所述的磁性元件，其特征在于，由绝缘层将所述第四自由层与所述叠层隔开，所述绝缘层直接接触所述叠层的所述侧壁。

18.如权利要求14所述的磁性元件，其特征在于，所述过渡金属层是绝缘材料。

19.如权利要求14所述的磁性元件，其特征在于，所述过渡金属层是利用Ruderman-Kittel-Kasuya-Yoshida(RKKY)耦合而耦合到所述第三和第四铁磁层的过渡金属。

20.如权利要求14所述的磁性元件，其特征在于，所述金属材料层是无需Ruderman-Kittel-Kasuya-Yoshida(RKKY)耦合而耦合到所述第三和第四铁磁层的金属材料。