[发明专利]薄膜半导体器件及使用薄膜半导体器件的显示器件无效
| 申请号： | 201210151986.3 | 申请日： | 2012-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN102800706A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 白神崇生;小原有司;加瀬正人 | 申请（专利权）人： | 双叶电子工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L23/29 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 日本千*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题为提供一种薄膜半导体器件及使用薄膜半导体器件的显示器件，该薄膜半导体器件是由IGZO等氧化物半导体膜所构成者，该薄膜半导体器件即使在无氧氛围中加热，氧也会扩散至氧化物半导体膜，而表现TFT特性。解决上述课题的手段为一种薄膜半导体器件，其是由玻璃基板（20）、栅极电极（23G）、栅极绝缘膜（21）、源极电极（23S）、漏极电极（23D）、IGZO的氧化物半导体膜（24）、二氧化锰（MnO2）的释氧绝缘膜（25）、保护膜（22）所构成。薄膜半导体器件若在萤光显示器件等的薄膜形成时的加热步骤、烧成步骤、密封步骤中加热，则氧会从释氧绝缘膜（25）释出而扩散至氧化物半导体膜（24），而表现TFT特性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 半导体器件 使用 显示 器件 | ||
【主权项】：
一种薄膜半导体器件，其特征在于，具有栅极电极、源极电极、漏极电极、氧化物半导体膜、释氧绝缘膜，所述释氧绝缘膜是与氧化物半导体膜的至少一部分接触。
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