[发明专利]薄膜半导体器件及使用薄膜半导体器件的显示器件无效
| 申请号： | 201210151986.3 | 申请日： | 2012-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN102800706A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 白神崇生;小原有司;加瀬正人 | 申请（专利权）人： | 双叶电子工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L23/29 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 日本千*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 半导体器件 使用 显示 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种薄膜半导体器件，其特征在于，具有栅极电极、源极电极、漏极电极、氧化物半导体膜、释氧绝缘膜，所述释氧绝缘膜是与氧化物半导体膜的至少一部分接触。
2.根据权利要求1所述的薄膜半导体器件，其特征在于，释氧绝缘膜是通过成膜时的能量及/或薄膜半导体器件的加热而释出氧。
3.根据权利要求2所述的薄膜半导体器件，其特征在于，成膜时的能量为形成保护膜时的能量。
4.根据权利要求1、2或3所述的薄膜半导体器件，其特征在于，释氧绝缘膜是由锰复合氧化物所构成。
5.根据权利要求1、2或3所述的薄膜半导体器件，其特征在于，释氧绝缘膜是由氧化过渡金属所构成。
6.根据权利要求4所述的薄膜半导体器件，其特征在于，锰复合氧化物为锰铝复合氧化物。
7.根据权利要求5所述的薄膜半导体器件，其特征在于，氧化过渡金属为二氧化锰。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的薄膜半导体器件，其特征在于，栅极电极、源极电极、漏极电极是由金属氧化物膜所构成。
9.一种显示器件，其特征在于，具有权利要求1～7中任一项所述的薄膜半导体器件。
10.根据权利要求9所述的显示器件，其特征在于，所述显示器件为经加热并密封者。
11.根据权利要求10所述的显示器件，其特征在于，所述显示器件为萤光显示器件。
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