[发明专利]一种低介电损耗的储能介质陶瓷材料及其制备有效
| 申请号： | 201210150158.8 | 申请日： | 2012-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN102674833A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 刘韩星;雒文博;郝华;余志勇;尧中华;曹明贺;郭丽玲 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/47 | 分类号： | C04B35/47;C04B35/622 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 张安国;伍见 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
一种低介电损耗储能介质陶瓷材料及其制备。该陶瓷材料体系的组成为xMgO-(1-x)SrTiO3，x=0~20.0wt%。制备方法为(1)制备SrTiO3陶瓷粉体；(2)按MgO粉体的质量占陶瓷粉体总质量的0~20.0wt%加入到陶瓷粉体中配料。然后用氧化锆球和无水乙醇作为介质球磨22~24小时；将球磨后的陶瓷粉体烘干后加入该烘干粉体质量为1.0wt%~3.5wt%的粘结剂造粒、压制成型，再在600℃保温2~3小时排胶得到生胚料；将生胚料在升温速率1.5~3℃/min，1350~1450℃下保温2小时得到储能介质陶瓷材料。本发明得到的储能介质陶瓷在0~120kv/cm电场范围内介电常数变化率小于4.5%，在20Hz~2MHz频率范围内介电常数变化率小于1.7%，在1kHz频率测试介电常数随x在160< |
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| 搜索关键词： | 一种 低介电 损耗 介质 陶瓷材料 及其 制备 | ||
【主权项】：
1. 一种低介电损耗储能介质陶瓷材料，其特征在于：陶瓷材料体系的组成为x MgO -(1-x)SrTiO3，x=0~20.0wt%，该储能陶瓷在0~120kv/cm电场范围内介电常数变化率小于4.5%，在20Hz~2MHz频率范围内介电常数变化率小于1.7%，在1kHz频率测试介电常数随x在160<![]()
<300变化，介电损耗tanδ<0.003，击穿场强Eb>174.30kV/cm，储能密度γ>0.36J/cm3。
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