[发明专利]被动元件的制造方法无效
| 申请号： | 201210149878.2 | 申请日： | 2012-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN103165251A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 李智渊;蔡硕文;黄耀贤;蔡俊毅 | 申请（专利权）人： | 钜永真空科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/02 | 分类号： | H01C7/02;H01C7/04;H01G4/00;H01G4/005 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 杨林;马翠平 |
| 地址： | 中国台湾台南市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供被动元件的制造方法，本方法系使用一种沉积治具，于被动元件本体的单面或两面进行沉积，以产生例如陶瓷电容、突波吸收器或热敏电阻等被动元件之产品。本发明方法不但能缩短制造时间，且不需高温结烧，故能降低能源损耗，达到节能环保之目的。 | ||
| 搜索关键词： | 被动 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种被动元件的制造方法，其特征在于，包含下列步骤：提供一沉积治具，该沉积治具包含：一第一平板结构，该第一平板结构具有若干个贯穿孔，该第一平板结构的各个贯穿孔具有一沉积槽与一容置槽；以及，一第二平板结构，该第二平板结构具有若干个贯穿孔，该第二平板结构的各个贯穿孔具有一沉积槽与一容置槽；将若干个被动元件本体固定于该沉积治具的第一平板结构的若干个贯穿孔的容置槽与该第二平板结构的若干个贯穿孔的容置槽之间；提供具有一沉积室的一沉积装置，使该沉积室的背景压力维持小于8×10‑5托尔；以第一沉积源在第一沉积条件下进行第一沉积步骤，于该若干个被动元件本体的第一表面形成第一缓冲层；以第二沉积源在第二沉积条件下进行第二沉积步骤，将第一电极层沉积于该第一缓冲层上；以第三沉积源在第三沉积条件下进行第三沉积步骤，于该若干个被动元件本体的第二表面形成第二缓冲层；以及，以第四沉积源在第四沉积条件下进行第四沉积步骤，将第二电极层沉积于该第二缓冲层上。
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