[发明专利]被动元件的制造方法

权利要求书

1.一种被动元件的制造方法，其特征在于，包含下列步骤：

提供一沉积治具，该沉积治具包含：

一第一平板结构，该第一平板结构具有若干个贯穿孔，该第一平板结构的各个贯穿孔具有一沉积槽与一容置槽；以及，

一第二平板结构，该第二平板结构具有若干个贯穿孔，该第二平板结构的各个贯穿孔具有一沉积槽与一容置槽；

将若干个被动元件本体固定于该沉积治具的第一平板结构的若干个贯穿孔的容置槽与该第二平板结构的若干个贯穿孔的容置槽之间；

提供具有一沉积室的一沉积装置，使该沉积室的背景压力维持小于8×10-5托尔；

以第一沉积源在第一沉积条件下进行第一沉积步骤，于该若干个被动元件本体的第一表面形成第一缓冲层；

以第二沉积源在第二沉积条件下进行第二沉积步骤，将第一电极层沉积于该第一缓冲层上；

以第三沉积源在第三沉积条件下进行第三沉积步骤，于该若干个被动元件本体的第二表面形成第二缓冲层；以及，

以第四沉积源在第四沉积条件下进行第四沉积步骤，将第二电极层沉积于该第二缓冲层上。

2.如权利要求1所述的被动元件的制造方法，其特征在于，其中该第一沉积源为镍铬合金、镍钒合金、银、不锈钢304、不锈钢316、铂、铝中的一种，且该第一沉积条件为在沉积室中通入氩气，该氩气流率在50至1000sccm之间，沉积室的工作压力为1×10^-2至1×10^-3Torr。

3.如权利要求2所述的被动元件的制造方法，其特征在于，其中该第二沉积源为铜、锌、银、铜合金、锌合金中的一种，且该第二沉积条件为在该沉积室中通入氩气，该氩气流率在50至1000sccm之间，沉积室的工作压力为1×10^-2至1×10^-3Torr。

4.如权利要求3所述的被动元件的制造方法，其特征在于，其中该第三沉积源为镍铬合金、镍钒合金、银、不锈钢304、不锈钢316、铂、铝中的一种，且该第三沉积条件为在该沉积室中通入氩气，该氩气之流率于50至1000sccm之间，沉积室的工作压力为1×10^-2至1×10^-3Torr。

5.如权利要求4所述的被动元件的制造方法，其特征在于，其中该第四沉积源为铜、锌、银、铜合金或锌合金中的一种，且该第四沉积条件为在该沉积室中通入氩气，该氩气之流率于50至1000sccm之间，沉积室的工作压力为1×10^-2至1×10^-3Torr。

6.如权利要求1所述的被动元件的制造方法，其特征在于，其中该被动元件本体为陶瓷电容本体或突波吸收器本体或热敏电阻本体。

7.一种被动元件的制造方法，其特征在于，包含下列步骤：

提供一沉积治具，该沉积治具包含：

一第一平板结构，该第一平板结构具有若干个贯穿孔，该第一平板结构的各个贯穿孔具有一沉积槽与一容置槽；以及，

一第二平板结构，该第二平板结构具有若干个贯穿孔，该第二平板结构的各个贯穿孔具有一沉积槽与一容置槽；

将若干个被动元件本体固定于该沉积治具的第一平板结构的若干个贯穿孔的容置槽与该第二平板结构的若干个贯穿孔的容置槽之间；

提供具有一沉积室的一沉积装置，使该沉积室的背景压力维持小于8×10^-5托尔；

以第一沉积源在第一沉积条件下进行第一沉积步骤，并同时于该若干个被动元件本体之两侧表面形成第一缓冲层与第二缓冲层；以及，

以第二沉积源在第二沉积条件下进行第二沉积步骤，以同时沉积第一电极层于该第一缓冲层和第二电极层于该第二缓冲层上。

8.如权利要求7所述的被动元件的制造方法，其特征在于，其中该第一沉积源为镍铬合金、镍钒合金、银、不锈钢304、不锈钢316、铂、铝中的一种，且该第一沉积条件为在沉积室中通入氩气，该氩气流率在50至1000sccm之间，沉积室的工作压力为1×10^-2至1×10^-3Torr。