[发明专利]被动元件的制造方法

说明书

技术领域

本发明关于一种被动元件的制造方法，特别是关于使用一种沉积治具于陶瓷电容、热敏电阻、突波吸收器或其它被动元件本体之单面或两面进行沉积，以产生陶瓷电容、热敏电阻、突波吸收器或其它被动元件的制造方法。

背景技术

现今社会对于电子产品的依赖性日益提高，人们身边总是存在有各式各样的电子产品，而电子产品内部更是具有电路。并且不论是简单电路，亦或是复杂电路，总是会包含基本的被动元件，举例而言，电容即是其中之一种被动元件。于电路中，电容可用以储存能量、更正功率因子以及作为滤波之元件。

而习知被动元件的电极层由网版印刷银浆于被动元件本体的表面上后预烤，另一面电极层亦使用相同制程，再将此被动元件整批送入高温炉，以约摄氏600度至900度的高温烧结数十分钟，不但耗费能源且造成环境温度升高。此外，若被动元件的电极层系银电极，则会因银本身之活性较大，且于高温烧结的状态时，银电极会有迁移扩散之现象，而造成被动元件之绝缘电阻降低，影响被动元件的电性，进而导致被动元件损坏。除此之外，高温烧结及涂布银浆均是极耗费成本的制程，而且高温烧结还会耗费能源并造成环境温度升高。

有鉴于此，发明人基于多年研究开发与诸多实务经验，提出一种能缩短制造时间并避免能源耗费之被动元件的制造方法，以作为改善上述缺点的实现方式与依据并达到节能环保之功效。

发明内容

本发明目的在于提供一种被动元件的制造方法，以提升制造陶瓷电容、热敏电阻、突波吸收器与其它被动元件之良率、制造效率与电性效能。

为达上述目的，依本发明的一种被动元件的制造方法，包含下列步骤：提供一沉积治具，该沉积治具包含：一第一平板结构，该第一平板结构具有若干个贯穿孔，该第一平板结构的各个贯穿孔具有一沉积槽与一容置槽；以及，一第二平板结构，该第二平板结构具有若干个贯穿孔，该第二平板结构的各个贯穿孔具有一沉积槽与一容置槽；将若干个被动元件本体固定于该沉积治具的第一平板结构的若干个贯穿孔的容置槽与该第二平板结构的若干个贯穿孔的容置槽之间；提供具有一沉积室的一沉积装置，使该沉积室的背景压力维持小于8×10^-5托尔；以第一沉积源在第一沉积条件下进行第一沉积步骤，于该若干个被动元件本体的第一表面形成第一缓冲层；以第二沉积源在第二沉积条件下进行第二沉积步骤，将第一电极层沉积于该第一缓冲层上；以第三沉积源在第三沉积条件下进行第三沉积步骤，于该若干个被动元件本体的第二表面形成第二缓冲层；以及，以第四沉积源在第四沉积条件下进行第四沉积步骤，将第二电极层沉积于该第二缓冲层上。其中，被动元件本体为陶瓷电容本体或突波吸收器本体或热敏电阻本体或其它被动元件本体。

其中第一沉积源为镍铬合金(NiCr)、镍钒合金(NiV)、银(Ag)、不锈钢304、不锈钢316、铂(Pt)、铝(Al)中的一种，且第一沉积条件为在沉积室中通入氩气(Ar)，氩气的流率在50至1000sccm(每分钟标准状态毫升；Standard Cubic Centimeters per Minute)之间，沉积室的工作压力为1×10^-2至1×10^-3Torr。

其中第二沉积源为铜(Cu)、锌(Zn)、银(Ag)、铜合金、锌合金中的一种，且第二沉积条件为在沉积室中通入氩气(Ar)，此氩气的流率在50至1000sccm(每分钟标准状态毫升)之间，沉积室的工作压力为1×10^-2至1×10^-3Torr。

其中第三沉积源为镍铬合金(NiCr)、镍钒合金(NiV)、银(Ag)、不锈钢304、不锈钢316、铂(Pt)、铝(Al)中的一种，且第三沉积条件为在沉积室中通入氩气(Ar)，此氩气的流率在50至1000sccm(每分钟标准状态毫升)之间，沉积室的工作压力为1×10^-2至1×10^-3Torr。

其中第四沉积源为铜(Cu)、锌(Zn)、银(Ag)、铜合金、锌合金中的一种，且第四沉积条件为在沉积室中通入氩气(Ar)，此氩气的流率在50至1000sccm(每分钟标准状态毫升)之间，沉积室的工作压力为1×10^-2至1×10^-3Torr。