[发明专利]一种氮化镓功率场效应晶体管无效
| 申请号： | 201210145723.1 | 申请日： | 2012-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN103390643A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 刘朋;王振中;李超 | 申请（专利权）人： | 无锡派腾微纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/417;H01L29/423 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214174 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种氮化镓功率场效应晶体管的结构，包括衬底、缓冲层、外延在缓冲层上的氮化镓(GaN)沟道层，外延在GaN上的铝镓氮（AlGaN）层、源极、漏极、栅极，以及栅极与AlGaN之间的多晶硅层和绝缘层。当栅极电压为负时，栅极金属层的电子隧穿到多晶硅层，增加GaN场效应晶体管的开启电压从而提高了GaN场效应晶体管的开关性能，并降低晶体管自身的功率损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 功率 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种氮化镓功率场效应晶体管，其特征在于，所述的结构包括衬底、位于所述衬底表面的缓冲层、外延方法形成在所述缓冲层表面的氮化镓沟道层，外延方法形成在所述氮化镓表面上的铝镓氮层、沉积于所述铝镓氮表面的源极和漏极、位于源极和漏极之间的栅极，以及位于所述栅极与铝镓氮之间的多晶硅层和绝缘层。
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