[发明专利]具有纳米线结构的电容器及其制备方法有效
| 申请号： | 201210144846.3 | 申请日： | 2012-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN102655176A | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 吴东平;陈玫瑰;许鹏;张卫;张世理 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 卢刚 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体工艺技术领域，公开了一种具有纳米线结构的电容器及其制备方法。在本发明中，先在衬底上形成第一导电层；然后在第一导电层上制备金属半导体化合物纳米线，构成底层金属；依次在底层金属上形成介质层、金属层，并由该金属层构成上层金属。本发明通过在第一导电层上制备金属半导体化合物纳米线，构成电容器结构的底层金属，增加了电容器结构的电极面积，从而增大了电容器的电容量；由于在第一导电层上制备的金属半导体化合物具有纳米线结构，使得构成的底层金属具备立体结构，因此可使得电容器结构在同等芯片面积下，增加了电容表面积，从而增大了电容器的电容量，即提供了小尺寸大容量的电容器结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 纳米 结构 电容器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有纳米线结构的电容器的制备方法，其特征在于，包含以下步骤：提供衬底；在所述衬底上形成第一导电层；在所述第一导电层上制备金属半导体化合物纳米线，所述金属半导体化合物纳米线与所述第一导电层构成底层金属；在所述底层金属上形成介质层；在所述介质层上覆盖金属层，所述覆盖的金属层构成上层金属。
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