[发明专利]一种利用SiN薄膜针孔形成局部掺杂或金属化的方法有效
| 申请号： | 201210141797.8 | 申请日： | 2012-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN102709335A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 蔡文浩 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 213031 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种利用SiN薄膜针孔形成局部掺杂或金属化的方法，所述的方法包括以下工艺步骤：采用PECVD方法制得AlOx/SiN或SiO2/SiN叠层薄膜、碱性溶液浸泡、局部掺杂或金属化。本发明简化了工艺流程，降低了电池制备成本，达到良好的钝化效果，同时保持较好的接触性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 sin 薄膜 针孔 形成 局部 掺杂 金属化 方法 | ||
【主权项】：
一种利用SiN薄膜针孔形成局部掺杂或金属化的方法，其特征在于：包括以下工艺步骤：第一步、背面制膜采用PECVD方法在P型硅背面沉积AlOx或SiO2薄膜，AlOx或SiO2薄膜表面沉积多孔的SiN薄膜，制得多孔、低密度或低质量的AlOx/SiN或SiO2/SiN叠层薄膜；第二步、碱性溶液浸泡将硅片浸泡于碱性溶液中，形成SiN薄膜针孔；第三步、局部掺杂或金属化利用针孔实现局部硼掺杂形成n+层，或直接结合丝网印刷铝浆的方法形成背面金属接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州天合光能有限公司，未经常州天合光能有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210141797.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
