[发明专利]采用CMOS工艺实现的射频功率放大器有效
| 申请号： | 201210140694.X | 申请日： | 2012-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN102684616A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 田为中 | 申请（专利权）人： | 惠州市正源微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/20 | 分类号： | H03F3/20;H03F3/189 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 任海燕 |
| 地址： | 516023 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种采用CMOS工艺实现的射频功率放大器，包括三个CMOS晶体管和三个级联的反向器；晶体管一源极接晶体管二漏极，晶体管二源极接晶体管三漏极，晶体管二源极接地。晶体管一、晶体管二栅极分别接直流电压源。反向器三输出端与晶体管三的栅极连接，用于驱动晶体管三；反向器一的输入端作为功率放大器输入端连接射频信号。CMOS晶体管一漏极作为功率放大器输出端，该端通过电感接直流电压VDD。本发明采用全CMOS工艺实现手机射频前端功放电路，在保证性能的前提下，使手机射频前端芯片的成本降低50%以上；并提高射频前端功放芯片的可集成度，利于实现手机射频收发器和射频前端功放合一的架构，大大节省手机电路板面积。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 cmos 工艺 实现 射频 功率放大器 | ||
【主权项】：
一种采用CMOS工艺实现的射频功率放大器，其特征在于，包括：源极、漏极依次相连的CMOS晶体管一、CMOS晶体管二、CMOS晶体管三，晶体管三源极接地； 三个级联的反向器，所述反向器三输出端与CMOS晶体管三的栅极连接，用于驱动CMOS晶体管三；反向器一的输入端作为功率放大器输入端接入射频信号； CMOS晶体管一、CMOS晶体管二栅极分别接直流电压源；CMOS晶体管一漏极作为功率放大器输出端，该端通过电感接直流电压VDD。
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