[发明专利]采用CMOS工艺实现的射频功率放大器有效
| 申请号： | 201210140694.X | 申请日： | 2012-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN102684616A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 田为中 | 申请（专利权）人： | 惠州市正源微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/20 | 分类号： | H03F3/20;H03F3/189 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 任海燕 |
| 地址： | 516023 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 采用 cmos 工艺 实现 射频 功率放大器 | ||
1.一种采用CMOS工艺实现的射频功率放大器，其特征在于，包括：
源极、漏极依次相连的CMOS晶体管一、CMOS晶体管二、CMOS晶体管三，晶体管三源极接地；
三个级联的反向器，所述反向器三输出端与CMOS晶体管三的栅极连接，用于驱动CMOS晶体管三；反向器一的输入端作为功率放大器输入端接入射频信号；
CMOS晶体管一、CMOS晶体管二栅极分别接直流电压源；
CMOS晶体管一漏极作为功率放大器输出端，该端通过电感接直流电压VDD。
2.根据权利要求1所述的采用CMOS工艺实现的射频功率放大器，其特征在于：所述CMOS晶体管一、CMOS晶体管二、CMOS晶体管三的衬底与源极之间分别通过电阻连接。
3.根据权利要求1所述的采用CMOS工艺实现的射频功率放大器，其特征在于：在每个反相器的输入端与输出端之间接有偏压电阻。
4.根据权利要求1所述的采用CMOS工艺实现的射频功率放大器，其特征在于，所述功率放大器输入端串接有滤波电容，射频信号通过滤波电容输入反向器一。
5.一种采用CMOS工艺实现的射频功率放大器，其特征在于，包括：
由两个CMOS晶体管组组成的差分放大电路及分别用于驱动两个CMOS晶体管组的两个反向器级联电路；
每个CMOS晶体管组包括源极、漏极依次相连的CMOS晶体管一、CMOS晶体管二、CMOS晶体管三；每个反向器级联电路包括三个级联的反向器一、反向器二、反向器三；一个反向器级联电路对应驱动一个CMOS晶体管组；
在由一个反向器级联电路和一个CMOS晶体管组组成的驱动组内，所述反向器三输出端与CMOS晶体管三的栅极连接，用于驱动CMOS晶体管三；反向器一的输入端作为功率放大器的一个输入端接入射频信号；
CMOS晶体管一、CMOS晶体管二栅极分别接直流电压源，晶体管三源极接地；
CMOS晶体管一漏极作为功率放大器一个输出端，该端通过电感接直流电压VDD。
6.根据权利要求5所述的采用CMOS工艺实现的射频功率放大器，其特征在于：所述CMOS晶体管一、CMOS晶体管二、CMOS晶体管三的衬底与源极之间分别通过电阻连接。
7.根据权利要求5所述的采用CMOS工艺实现的射频功率放大器，其特征在于：在每个反相器的输入端与输出端之间接有偏压电阻。
8.根据权利要求5所述的采用CMOS工艺实现的射频功率放大器，其特征在于，所述功率放大器输入端串接有滤波电容，射频信号通过滤波电容输入反向器一。
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