[发明专利]硅基III-V外延材料图形异质键合均匀轴向力施力装置有效
| 申请号： | 201210139758.4 | 申请日： | 2012-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN102646620A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 张冶金;郑婉华;渠红伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种硅基III-V外延材料图形异质键合均匀轴向力施力装置，包括：一下施力盖板，该下施力盖板为圆片状；一下承接托，该下承接托为圆片状，其上面均匀分布有多个圆孔，其位于下施力盖板之上；一上施力托，该上施力托为圆片状，其上面均匀分布有多个圆孔，其位于下承接托之上；其中在下承接托和上施力托之间通过多个定向圆柱插置连接，在下承接托和上施力托之间还有两个保护陪片，该两个保护陪片上下叠置；一平凸透镜，其位于上施力托之上；一上施力盖板，该上施力盖板为圆片状，其位于平凸透镜之上。本发明特点在于整个轴向压力施加方法，不是采用直接的加压方式，而是加入找平部件，承力部件及保护部件等，实现均匀施压，目标晶片可以给予更大的压力而不碎裂，进而实现更牢固的键合。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基 iii 外延 材料 图形 异质键合 均匀 轴向 施力 装置 | ||
【主权项】：
一种硅基III‑V外延材料图形异质键合均匀轴向力施力装置，包括：一下施力盖板，该下施力盖板为圆片状；一下承接托，该下承接托为圆片状，其上面均匀分布有多个圆孔，其位于下施力盖板之上；一上施力托，该上施力托为圆片状，其上面均匀分布有多个圆孔，其位于下承接托之上；其中在下承接托和上施力托之间通过多个定向圆柱插置连接，在下承接托和上施力托之间还有两个保护陪片，该两个保护陪片上下叠置；一平凸透镜，其位于上施力托之上；一上施力盖板，该上施力盖板为圆片状，其位于平凸透镜之上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
