[发明专利]一种纳米结构CZTS薄膜光伏电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201210135807.7 | 申请日： | 2012-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN102637755A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 任山;李明;李立强;刘珠凤;洪澜 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/072;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈燕娴 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种纳米结构CZTS薄膜光伏电池，该电池依次是由衬底、背电极、p型半导体纳米线阵列、n型半导体薄层、窗口层和金属栅格电极组成；所述的p型半导体纳米线阵列是由半导体合金(CuxB1-x)2Cy(DzS1-z)4组成，其中0＜x≤1，0≤y≤2，0≤z＜1，B为银和/或金，C为铝、锌或锡中的一种以上，D为硒和/或碲。本发明通过控制沉积元素的种类、沉积元素的顺序及热处理的方式等后续过程来调节吸收层纳米线阵列的成分、相结构及能带结构，从而制备出不同结构和性能的太阳能光伏电池。本发明的纳米结构CZTS薄膜光伏电池光反射减少、有极好的光捕获能力、带隙调整得到改善，最终实现了光电转换效率的大幅度提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 结构 czts 薄膜 电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米结构CZTS薄膜光伏电池，其特征在于：依次是由衬底、背电极、p型半导体纳米线阵列、n型半导体薄层、窗口层和金属栅格电极组成；所述的p型半导体纳米线阵列是由半导体合金(CuxB1‑x)2Cy(DzS1‑z)4组成，其中0＜x≤1，0≤y≤2，0≤z＜1，B为银和/或金，C为铝、锌或锡中的一种以上，D为硒和/或碲。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山大学，未经中山大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210135807.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
