[发明专利]MOS晶体管及形成方法在审
| 申请号： | 201210133505.6 | 申请日： | 2012-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN103377923A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/265;H01L29/772 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种MOS晶体管及形成方法，所述MOS晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的半导体衬底内进行第一离子注入形成轻掺杂区；在靠近栅极结构的轻掺杂区外侧区域进行第二离子注入形成第一口袋区；在所述栅极结构侧壁表面形成侧墙；对所述栅极结构和侧墙两侧的半导体衬底进行刻蚀，形成开口；在所述开口内填充满应力材料，形成源/漏区；在靠近栅极结构的源/漏区外侧区域进行第三离子注入形成第二口袋区。通过在锗硅源/漏区或碳化硅源/漏区靠近栅极结构的外侧区域形成第二口袋区，使得所述锗硅源/漏区或碳化硅源/漏区靠近沟道区一侧的耗尽区较窄，可以缓解MOS晶体管的短沟道效应。 | ||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种MOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的半导体衬底内进行第一离子注入形成轻掺杂区；在靠近栅极结构的轻掺杂区外侧区域进行第二离子注入形成第一口袋区；在所述栅极结构侧壁表面形成侧墙；对所述栅极结构和侧墙两侧的半导体衬底进行刻蚀，形成开口；在所述开口内填充满应力材料，形成源/漏区；在靠近栅极结构的源/漏区外侧区域进行第三离子注入形成第二口袋区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
