[发明专利]绝缘栅双极型晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201210125126.2 | 申请日： | 2012-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN103378141A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 吴多武;陶凯;孙军;时以成 | 申请（专利权）人： | 上海北车永电电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人： | 成春荣;竺云 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及电子器件领域，公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法。本发明中，在绝缘栅双极型晶体管IGBT中，第一掺杂区作为超结，沟道区与第二掺杂区形成内置的快速恢复二极管，结合了超结MOS和逆导IGBT的优点，可以有效减小IGBT的饱和压降，获得更高的功率密度，同时在模块封装中省去了快速恢复二极管，可以有效降低生产成本。缓冲区层的存在，降低了对衬底厚度的需求，利用缓冲区层来加快载流子的复合过程，可以有效降低IGBT产品的拖尾时间，降低产品的关断损耗，提高产品的截止频率。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 栅双极型 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，在第一半导体类型的衬底的一侧，在该衬底与第二半导体类型的沟道区之间，存在第二半导体类型的第一掺杂区，其中，该第一掺杂区的掺杂浓度小于所述沟道区的掺杂浓度；在所述衬底的另一侧，在该衬底与集电极金属电极之间，存在第一半导体类型的第二掺杂区。
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