[发明专利]深槽绝缘栅双极型晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 201210116821.2 | 申请日： | 2012-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN103377917A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 高时声;张挺;李宁宁;罗春来;吕建密 | 申请（专利权）人： | 上海劲昕电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 卢刚 |
| 地址： | 200001 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种深槽绝缘栅双极型晶体管及其制造方法。本发明中，在基底上进行离子注入，形成掺杂扩散区，其中，所形成的掺杂扩散区在靠近沟槽的边缘区域扩散的厚度大于或者等于其中心区域扩散的厚度；然后依次形成基极层、发射极层、栅区、绝缘层、重掺杂区和集电极层，得到绝缘栅双极型晶体管。由于本发明所形成的掺杂扩散区在靠近沟槽的边缘区域扩散的厚度大于或者等于其中心区域扩散的厚度，使因表面效应而缺少掺杂的半导体与沟槽界面的掺杂浓度得到补偿，从而提高了工作电压。此外，通过形成具有圆滑深槽底，且上边沿圆滑的沟槽，能避免尖端效应导致的尖端放电效应，提高器件的击穿电压和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 栅双极型 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种深槽绝缘栅双极型晶体管制造方法，其特征在于，包含以下步骤：在基底(001)上进行离子注入，形成掺杂扩散区(010)，其中，所述形成的掺杂扩散区(010)在靠近沟槽的边缘区域扩散的厚度大于或者等于其中心区域扩散的厚度；在形成所述掺杂扩散区(010)之后，依次形成基极层(024)、发射极层(025)、栅区(026)、绝缘层(027)、重掺杂区(019)和集电极层(022)，得到绝缘栅双极型晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
