[发明专利]多层金属-氧化硅-金属电容器的制作方法有效
| 申请号： | 201210116158.6 | 申请日： | 2012-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN102637583A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 毛智彪;胡友存;徐强 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开种多层金属-多层绝缘体-金属电容器的制作方法，在硅衬底上进行，其特征在于，包括循环执行如下步骤：步骤1，沉淀高K值氧化硅薄膜；步骤2，光刻并刻蚀去除部分所述高K值氧化硅薄膜；步骤3，沉淀低k值介质层覆盖步骤2中剩余的高K值氧化硅薄膜；步骤4，化学机械研磨所述低k值介质层上表面；步骤5，在所述低k值介质层上制作金属槽和通孔，所述通孔底部接触所述高K值氧化硅薄膜上表面；步骤6，在所述金属槽和通孔中填充金属后进行化学机械研磨。本发明有效地提高层间和层内电容器的电容；改善金属-氧化硅-金属（MOM）电容器的击穿电压、漏电流等各电特性以及各器件间的电学均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 金属 氧化 电容器 制作方法 | ||
【主权项】：
一种多层金属‑多层绝缘体‑金属电容器的制作方法，在硅衬底上进行，其特征在于，包括循环执行如下步骤：步骤1，沉淀高K值氧化硅薄膜；步骤2，光刻并刻蚀去除部分所述高K值氧化硅薄膜；步骤3，沉淀低k值介质层覆盖步骤2中剩余的高K值氧化硅薄膜；步骤4，化学机械研磨所述低k值介质层上表面；步骤5，在所述低k值介质层上制作金属槽和通孔，所述通孔底部接触所述高K值氧化硅薄膜上表面；步骤6，在所述金属槽和通孔中填充金属后进行化学机械研磨。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
