[发明专利]一种InP衬底生长InGaAs电池层的结构及其方法

摘要

本发明涉及一种InP衬底生长InGaAs电池层的结构及其方法，包括以下步骤：一、采用金属有机化合物化学气相沉淀法，在InP衬底上生长一层InP缓冲层；二、采用金属有机化合物化学气相沉淀法，在所述步骤一的InP缓冲层表面从下至上依次生长至少一层InAsP过渡层；三、采用金属有机化合物化学气相沉淀法，在所述步骤二的InAsP过渡层上生长InGaAs电池层，获得目标产品。本发明能够在InP衬底上生长与InP衬底晶格失配的外延层，突破了晶格常数的限制，可以获得高质量InGaAs材料，得到高效的热光伏电池，具有重要的应用价值。

主权项

一种InP衬底生长InGaAs电池层的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：采用金属有机化合物化学气相沉淀法，在InP衬底上生长一层InP缓冲层；步骤二：采用金属有机化合物化学气相沉淀法，在所述步骤一的InP缓冲层表面从下至上依次生长至少一层InAsP过渡层，每层InAsP过渡层与所述InP衬底存在晶格失配度；步骤三：采用金属有机化合物化学气相沉淀法，在所述步骤二的InAsP过渡层上生长InGaAs电池层，获得目标产品。