[发明专利]曝光方法及曝光装置、以及元件制造方法有效

专利信息
申请号: 201210110459.8 申请日: 2006-12-28
公开(公告)号: CN102636966A 公开(公告)日: 2012-08-15
发明(设计)人: 柴崎佑一 申请(专利权)人: 株式会社尼康
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G03F9/00
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李强
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明为曝光方法及曝光装置、以及元件制造方法,从投影单元(PU)正下方的曝光区域于Y轴方向分离的量测区域内,由于是一边使对准系统(ALG)的检测区域往Y方向移动、一边依序检测复数个标记,因此与现有固定对准系统而仅移动晶片载台(WST1、WST2)、同时进行标记检测的情形相比,能使标记检测时晶片载台往Y方向的移动量较小。由此,可使量测区域在Y方向的宽度较小,而谋求装置小型化。
搜索关键词: 曝光 方法 装置 以及 元件 制造
【主权项】:
一种曝光方法,用于使物体曝光,其特征在于:在相对该物体进行曝光的曝光区域至少于第1方向位置相异的量测区域内,于该第1方向移动标记检测系统的检测区域,以检测该物体上的复数个标记;使用该标记的检测结果在该曝光区域内移动该物体。
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