[发明专利]曝光方法及曝光装置、以及元件制造方法

说明书

技术领域

本发明是关于图案形成方法及图案形成装置、曝光方法及曝光装置、以及元件制造方法，进一步详言之，是关于在移动体上所载置的物体形成图案的图案形成方法及图案形成装置、使物体曝光的曝光方法及曝光装置、以及使用该图案形成方法及曝光方法的元件制造方法。

背景技术

在用来制造半导体元件、液晶显示元件等微元件(电子元件)的微影制程中，会使用将图案形成于涂有光阻的基板，例如晶片或玻璃板等感光物体(以下，总称为晶片)，上的曝光装置。

半导体元件等，由于是将复数层图案重叠形成于晶片上，因此曝光装置必须能够具有将已形成于晶片上的图案与图案像调整到最理想相对位置关系的操作(对准)。此对准方式，主要使用EGA(Enhanced Global Alignment，增强型全晶片对准)方式。该EGA方式所采步骤为(1)事先选择晶片内特定的复数个照射区域(也称为取样照射区域或对准照射区域)；(2)依序量测设于该等取样照射区域的对准标记(取样标记)的位置信息；(3)使用此量测结果与照射区域的设计上排列信息，进行最小平方法等统计运算方法，求取晶片上照射区域的排列坐标。因此，使用EGA方式能以高处理量、较高精度求得各照射区域的排列坐标(例如，参考专利文献1)。

上述对准，是量测设于复数个取样照射区域的对准标记。因此，必须沿着复数个对准标记能依序位于标记检测系统(对准标记检测系统)的检测区域(检测视野)内的路径移动晶片。因此，必须在标记检测系统的下侧，具有确保不同于曝光时晶片移动区域的对准时的晶片移动区域。特别是当曝光位置与对准系统分离配置时，由于曝光时的移动区域和对准时的移动区域重复范围较狭窄，必须确保较大的晶片总移动区域。

另外，现有的晶片对准动作(取样标记的量测动作)是在晶片曝光开始前先进行。因此，当取样照射区域数量增加时，会有量测耗费大量时间而引起曝光装置整体的处理量降低的忧虑。在这方面，近来，开发出所谓双载台方式的载台装置并逐渐被用于曝光装置，该载台装置是准备两个晶片载台，以进行一侧晶片载台进行曝光时另一晶片侧载台进行对准的并行处理，来提升曝光制程全体的单位时间处理量。

然而，采用双载台方式的载台装置时，由于一载台在二维面内移动进行曝光期间，另一晶片载台也在二维面内移动进行对准，故必须避免两载台在动作时彼此碰撞。

避免碰撞的方法，可考虑将一载台于曝光期间移动的区域与另一载台于对准期间移动的区域设定为彼此不重叠。但如此一来，会有各载台的移动范围扩大、机体增大，进而引起装置大型化的忧虑。

专利文献1：日本特开昭61-44429号公报。

发明内容

本发明有鉴于上述问题而提出；本发明第1方面，提供了一种在既定图案形成区域内于物体上形成图案的图案形成方法，其特征在于，包含：检测步骤，该检测步骤是在从图案形成区域往至少二维面内既定方向分离的标记检测区域内，一边将检测该物体上标记的检测系统的检测区域至少往该既定方向移动，一边检测配置于该物体的标记；与图案形成步骤，该图案形成步骤是一边根据该标记检测步骤的标记检测结果在该图案形成区域内移动该物体，一边于该物体上形成图案。

这样，在标记检测步骤中，由于在从图案形成区域至少往二维面内与既定方向分离的标记检测区域内，一边将检测该物体上标记的检测系统的检测区域至少往既定方向移动、一边检测配置于物体的标记，故可使标记检测时移动体于既定方向的移动量较小。

本发明第2方面，提供了一种使物体曝光的曝光方法，其特征在于：在至少第1方向与该物体进行曝光的曝光区域位置相异的量测区域内，于该第1方向移动标记检测系统的检测区域、检测该物体上的复数个标记、根据该标记检测结果在该曝光区域内移动该物体。

这样，由于在至少第1方向与曝光区域位置相异的量测区域内，于第1方向移动检测物体上标记的标记检测系统的检测区域，并检测物体上的标记，故可使标记检测时移动体于第1方向的移动量较小。

本发明第3方面，提供了一种使物体曝光的第2曝光方法，其特征在于：与该物体进行曝光的曝光区域在至少第1方向位置相异的量测区域内，通过具有于该第1方向位置相异的复数个检测区域的标记检测系统来检测该物体上的复数个标记，根据该标记检测结果在该曝光区域内移动该物体。

这样，由于相对曝光区域至少于第1方向位置相异的量测区域内，使用具有于第1方向位置相异的复数个检测区域的标记检测系统，来检测物体上的复数个标记，故可在短时间内进行复数个标记的量测。