[发明专利]一种实时监控NBTI效应界面态产生的测试方法有效
| 申请号： | 201210109526.4 | 申请日： | 2012-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN102621473A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 安霞;杨东;黄良喜;黄如 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种实时监控NBTI效应界面态产生的测试方法，属于半导体器件可靠性测试领域。该方法将NBT应力偏置中栅端的直流电压信号源变为脉冲信号源，在不同时间NBT应力后，采用电荷泵法测得衬底电流，即时监控因NBTI效应所导致界面态电荷的增加。本发明测试方法相对于常用的监控界面态电荷变化的测试方法更具有实时性，减少NBTI退化的恢复量，从而更能有效地评估NBTI效应对器件特性的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实时 监控 nbti 效应 界面 产生 测试 方法 | ||
【主权项】：
1.一种实时监控NBTI效应界面态产生的测试方法，针对PMOS器件的NBT应力偏置，其特征在于，PMOS器件的源端、源端和衬底均接地，栅端的直流电压信号源变为脉冲信号源，在NBT应力阶段，栅端脉冲电压以一定的频率f在高电平和低电平间来回波动，中断NBT应力，在电荷泵法测试阶段，栅端脉冲信号的低电压保持不变，不断改变高电压值，通过公式![]()
算出在NBT应力下产生的界面态电荷密度，其中![]()
为平均界面态密度，Icp是衬底电流，q是基本电荷量，Area是栅面积，f是脉冲频率，从而即时监控因NBTI效应所导致界面态电荷变化。
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