[发明专利]一种实时监控NBTI效应界面态产生的测试方法有效
| 申请号： | 201210109526.4 | 申请日： | 2012-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN102621473A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 安霞;杨东;黄良喜;黄如 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 实时 监控 nbti 效应 界面 产生 测试 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种实时监控NBTI效应界面态产生的测试方法，针对PMOS器件的NBT应力偏置，其特征在于，PMOS器件的源端、源端和衬底均接地，栅端的直流电压信号源变为脉冲信号源，在NBT应力阶段，栅端脉冲电压以一定的频率f在高电平和低电平间来回波动，中断NBT应力，在电荷泵法测试阶段，栅端脉冲信号的低电压保持不变，不断改变高电压值，通过公式算出在NBT应力下产生的界面态电荷密度，其中为平均界面态密度，Icp是衬底电流，q是基本电荷量，Area是栅面积，f是脉冲频率，从而即时监控因NBTI效应所导致界面态电荷变化。
2.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，在施加NBT应力阶段，频率f大于1MHz。
3.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，在施加NBT应力过程中，分别在t＝10s，20s，50s，100s，200s，500s，1000s，2000s，4000s，6000s时中断NBT应力。
4.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，电荷泵法测试阶段，栅端脉冲信号的高电压大于P型MOS器件的平带电压。
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