[发明专利]用于制造半导体膜和光伏装置的方法无效
| 申请号： | 201210103172.2 | 申请日： | 2012-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN102628161A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | D·钟;G·帕塔萨拉蒂;R·A·小纳迪 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/06;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 柯广华;朱海煜 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的一个方面提供制造膜的方法。该方法包含：在无氧环境中提供包括硫化物的靶；将多个直流脉冲施加到靶以生成脉冲直流等离子体；用脉冲DC等离子体对硫化物靶进行溅射以将包括硫的材料喷射到等离子体中；以及将包括所喷射材料的膜沉积到支撑上。本发明的另一个方面提供制造光伏装置的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在无氧环境中提供包括半导体硫化物的靶；将多个直流脉冲施加到所述靶，以生成脉冲直流等离子体；用所述脉冲直流等离子体对所述靶进行溅射，以将包括硫的材料喷射到所述等离子体中；以及将包括所喷射材料的膜沉积到支撑上。
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