[发明专利]双重光刻胶及其处理方法有效
| 申请号： | 201210101344.2 | 申请日： | 2012-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN103365092A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 胡华勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/075 | 分类号： | G03F7/075;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种双重光刻胶，包括依次形成在目标层上的第一光刻胶层、第二光刻胶层，所述第一光刻胶层为正光刻胶层或负光刻胶层，所述第二光刻胶层与第一光刻胶层反性，所述第一光刻胶层与所述第二光刻胶层在同一曝光过程中曝光，所述正光刻胶层为含硅的水溶性正光刻胶。本发明还提供了该双重光刻胶的处理方法。采用本发明的技术方案，通过采用含氟的刻蚀气体对含硅的水溶性正光刻胶具有较高的选择比，使得双重光刻胶图案之间的转移更精准，提高了工艺的可控性。 | ||
| 搜索关键词： | 双重 光刻 及其 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种双重光刻胶，其特征在于，包括依次形成在目标层上的第一光刻胶层、第二光刻胶层，所述第一光刻胶层为正光刻胶层或负光刻胶层，所述第二光刻胶层与第一光刻胶层反性，所述第一光刻胶层与所述第二光刻胶层在同一曝光过程中曝光，其正光刻胶为含硅的水溶性正光刻胶。
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