[发明专利]双重光刻胶及其处理方法

权利要求书

1.一种双重光刻胶，其特征在于，包括依次形成在目标层上的第一光刻胶层、第二光刻胶层，所述第一光刻胶层为正光刻胶层或负光刻胶层，所述第二光刻胶层与第一光刻胶层反性，所述第一光刻胶层与所述第二光刻胶层在同一曝光过程中曝光，其正光刻胶为含硅的水溶性正光刻胶。

2.根据权利要求1所述的双重光刻胶，其特征在于，所述含硅的水溶性正光刻胶中具有含硅聚合物，所述含硅聚合物为经过修饰的硅氧聚合物，含硅的丙烯酸类聚合物，含硅的甲基丙烯酸类聚合物，或硅烷类聚合物。

3.根据权利要求1所述的双重光刻胶，其特征在于，所述第一光刻胶层与所述目标层之间还形成有底部抗反射层。

4.根据权利要求1所述的双重光刻胶，其特征在于，所述第一光刻胶层的厚度范围为50nm-300nm。

5.根据权利要求1所述的双重光刻胶，其特征在于，所述第二光刻胶层的厚度范围为50nm-300nm。

6.根据权利要求1所述的双重光刻胶，其特征在于，第一光刻胶层为正光刻胶层。

7.根据权利要求1所述的双重光刻胶的处理方法，所述处理方法包括曝光与显影，其特征在于，对所述第一光刻胶层和第二光刻胶层进行曝光，所述曝光的曝光能量具有第一阈值和第二阈值，在第一阈值的曝光能量作用下在第一光刻胶层中形成第一曝光区，在第二阈值的曝光能量作用下在第二光刻胶层中形成第二曝光区，第二曝光区与所述第一曝光区交叠；

对所述第二光刻胶层进行显影，形成第一开口，所述第一开口暴露第一光刻胶层表面；

沿所述第一开口刻蚀第一光刻胶层，形成第二开口，所述第二开口暴露目标层表面；

去除所述第二光刻胶层；

对所述第一光刻胶层进行显影，形成双图形化的第一光刻胶层图形。

8.根据权利要求7所述的处理方法，其特征在于，所述第一光刻胶层为正光刻胶，所述第二光刻胶层为负光刻胶，所述第一阈值大于所述第二阈值，所述第二曝光区的宽度大于所述第一曝光区的宽度，所述第一开口为所述负光刻胶层中第二曝光区外的区域。

9.根据权利要求7所述的处理方法，其特征在于，所述第一光刻胶层为负光刻胶，所述第二光刻胶层为正光刻胶，所述第一阈值小于所述第二阈值，所述第二曝光区的宽度小于所述第一曝光区的宽度，所述第一开口为所述正光刻胶层中第一曝光区。

10.根据权利要求7所述的处理方法，其特征在于，所述正光刻胶层中具有光酸产生剂和树脂。

11.根据权利要求8所述的处理方法，其特征在于，所述正光刻胶中的光酸产生剂在大于和等于第一阈值的曝光能量作用下产生光酸，光酸与在正光刻胶层中的树脂反应形成第一曝光区，光酸产生剂在小于第一阈值的曝光能量作用下不产生光酸。

12.根据权利要求7或8所述的处理方法，其特征在于，所述负光刻胶层为光致交联型负光刻胶、光致聚合型负光刻胶或光致极性转变负光刻胶。

13.根据权利要求8所述的处理方法，其特征在于，所述第二曝光区的宽度为第一曝光区宽度的1.5～4.5倍。

14.根据权利要求13所述的处理方法，其特征在于，所述第二曝光区的宽度为第一曝光区宽度的3倍。

15.根据权利要求8所述的处理方法，其特征在于，刻蚀所述正光刻胶层采用的是含氟气体。

16.根据权利要求15所述的处理方法，其特征在于，所述含氟气体为CF₄或CHF₃或C₃F₈。