[发明专利]一种低表面张力的硅基光纤阵列V槽的制作方法

摘要

本发明公开了一种低表面张力的硅基光纤阵列V槽的制作方法，它包括如下步骤：在硅基上生成保护薄膜、在保护薄膜上旋涂光刻胶膜、在光刻胶膜上光刻出腐蚀Ｖ槽所需的图案、使用RIE工艺刻蚀掉腐蚀Ｖ槽所需图案位置对应的保护薄膜、利用丙酮溶液去除硅基上的光刻胶膜、使用KOH溶液或TMAH溶液蚀刻已经被露出的硅基，形成Ｖ槽、用对应溶液去除硅基上的保护薄膜；在去除保护薄膜后的硅基上通过LPCVD工艺淀积的低表面张力薄膜。本发明解决了因表面处理不佳而导致的胶水粘接效果不佳及气泡等问题，提高了光纤阵列的良率及稳定性。

主权项

一种低表面张力的硅基光纤阵列V槽的制作方法，其特征是该制作包括如下步骤：a、在<100>晶向硅基的上表面生成一层保护薄膜，所述保护薄膜为热氧化SiO2薄膜或Si3N4薄膜；b、在保护薄膜上通过匀胶机旋涂一层光刻胶膜；c、在光刻胶膜上光刻出腐蚀Ｖ槽所需的图案，使得腐蚀Ｖ槽所需图案位置对应的保护薄膜露出；d、使用反应离子刻蚀工艺刻蚀掉腐蚀Ｖ槽所需图案位置对应的保护薄膜，腐蚀Ｖ槽所需图案位置对应的硅基露出；e、利用丙酮溶液去除硅基上的光刻胶膜；f、使用KOH溶液或TMAH溶液蚀刻已经被步骤d露出的硅基，形成Ｖ槽，由于各向异性腐蚀，故Ｖ槽的侧面夹角由硅基的晶向决定，Ｖ槽两侧面的夹角为70.6°，Ｖ槽的开口宽度为120~125微米，Ｖ槽的脊背宽度为2~7微米；g、用对应溶液去除硅基上的保护薄膜；h、在去除保护薄膜后的硅基上通过低压化学汽相淀积工艺淀积的低表面张力薄膜，低表面张力薄膜为Si3N4薄膜，Si3N4薄膜的厚度为100~300纳米。