[发明专利]具有超结结构的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210100028.3 | 申请日： | 2007-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN102623349A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 宫岛健 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 邬少俊;王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种具有超结结构的半导体器件包括：在电流流动方向上延伸的多个第一柱(4)；和在电流流动方向上延伸的多个第二柱(5)。第一柱(4)和第二柱(5)在交替方向上交替地设置。每个第一柱(4)提供漂移层。第一柱(4)和第二柱(5)在其间具有边界，在截止状态的情况下耗尽层从该边界延展。第一柱(4)和第二柱(5)中的至少一个具有杂质剂量，该杂质剂量在交替方向上随位置变化而是不均匀的。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 结构 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造具有超结结构的半导体器件的方法，该方法包括：制备具有第一导电类型的半导体衬底(20)；在该衬底(20)中形成多个沟槽(22)，其中每个沟槽(22)具有沿着第一方向的恒定宽度，并且其中沿着该第一方向相邻的两个沟槽(22)之间的距离至少包括第一距离和第二距离；在该衬底(20)上形成具有第二导电类型的外延膜(23)，从而用该外延膜(23)填充所述沟槽(22)；并且对其上形成所述外延膜(23)的该衬底(20)一侧进行平坦化，其中在该衬底的有源区中形成所述多个沟槽，其中该衬底(20)的夹在两个沟槽(22)之间的对应于所述第一距离的部分(4)在所述第一方向上提供第一宽度(W4)，并且该衬底(20)的夹在两个沟槽(22)之间的对应于所述第二距离的另一部分(4)在所述第一方向上提供第二宽度(W4)，并且其中所述第一宽度(W4)不同于所述第二宽度(W4)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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