[发明专利]多晶硅锭及其制备方法、多晶硅片和多晶硅铸锭用坩埚有效
| 申请号： | 201210096291.X | 申请日： | 2012-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN102776561B | 公开（公告）日： | 2017-12-15 |
| 发明（设计）人： | 胡动力;何亮;雷琦;钟德京;张涛;万跃鹏 | 申请（专利权）人： | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司44202 | 代理人： | 郝传鑫,熊永强 |
| 地址： | 338000 江西省新余*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了多晶硅锭的制备方法，包括以下步骤在坩埚底部设置形核源，形成形核源层；在所述形核源层上设置熔融状态的硅料；控制所述坩埚内的温度沿垂直与所述坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使得所述熔融状态的硅料利用所述形核源形核结晶，制得多晶硅锭。本发明还提供了通过该制备方法获得的高质量的多晶硅锭，以及利用所述多晶硅锭制备获得的多晶硅片和多晶硅铸锭用坩埚。该制备方法制得的多晶硅锭晶粒大小均匀、规则、位错密度低且无明显的枝晶和孪晶。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 及其 制备 方法 硅片 铸锭 坩埚 | ||
【主权项】：
多晶硅锭的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在坩埚底部设置氮化硅涂层，在所述坩埚底部的所述氮化硅涂层表面附着有形核源，形成形核源层；所述形核源为硅粉与氮化硅粉两者的混合物；其中，所述硅粉与所述氮化硅粉的质量比为6:4，所述硅粉的粒径为0.1～10μm，所述氮化硅粉的粒径为0.5～50μm；(2)在所述形核源层上设置熔融状态的硅料；(3)控制所述坩埚内的温度沿垂直于 所述坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使得所述熔融状态的硅料利用所述形核源形核结晶，制得多晶硅锭。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江西赛维LDK太阳能高科技有限公司，未经江西赛维LDK太阳能高科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210096291.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种多晶硅铸锭炉
- 下一篇：一种加氢反应釜筒体用复合钢板的制造方法
