[发明专利]多晶硅锭及其制备方法、多晶硅片和多晶硅铸锭用坩埚

权利要求书

1.多晶硅锭的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)在坩埚底部设置氮化硅涂层，在所述坩埚底部的所述氮化硅涂层表面附着有形核源，形成形核源层；所述形核源为硅粉与氮化硅粉两者的混合物；其中，所述硅粉与所述氮化硅粉的质量比为6:4，所述硅粉的粒径为0.1～10μm，所述氮化硅粉的粒径为0.5～50μm；

(2)在所述形核源层上设置熔融状态的硅料；

(3)控制所述坩埚内的温度沿垂直于 所述坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使得所述熔融状态的硅料利用所述形核源形核结晶，制得多晶硅锭。

2.如权利要求1所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述设置形核源为将所述形核源涂覆设置在所述坩埚底部，或者是将所述形核源直接铺设在所述坩埚底部。

3.如权利要求1所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述在形核源层上设置熔融状态的硅料为：在所述形核源层上方装载固体硅料，对所述坩埚进行加热使得所述硅料熔融，此时，所述熔融状态的硅料设置于所述形核源层表面。

4.如权利要求1所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述在形核源层上设置熔融状态的硅料为：在另外一个坩埚内加热固体硅料，制得熔融状态的硅料，将所述熔融状态的硅料浇铸至所述铺设有形核源层的坩埚内，此时，所述熔融状态的硅料设置于所述形核源层表面。

5.如权利要求1所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述形核结晶过程中控制过冷度为-1K～-30K。

6.一种多晶硅铸锭用坩埚，其特征在于，所述坩埚包括本体和形核源层，所述本体包括底座及由底座向上延伸的侧壁，底座和侧壁共同围成一收容空间，所述坩埚本体底座朝向收容空间的一面设置有氮化硅涂层，所述形核源层附着在所述坩埚本体底座朝向收容空间的一面的所述氮化硅涂层表面，所述形核源为硅粉与氮化硅粉两者的混合物，其中，所述硅粉与所述氮化硅粉的质量比为6:4，所述硅粉的粒径为0.1～10μm，所述氮化硅粉的粒径为0.5～50μm。

7.如权利要求6所述的多晶硅铸锭用坩埚，其特征在于，所述侧壁朝向收容空间的一面设置有氮化硅涂层。