[发明专利]多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片

摘要

本发明提供了多晶硅锭的制备方法，该制备方法包括在坩埚底部随机铺设籽晶，形成籽晶层，籽晶的晶向不限；在籽晶层上方设置熔融状态的硅料，控制坩埚底部温度低于籽晶的熔点，使得籽晶层不被完全熔化；控制坩埚内的温度沿垂直与坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使得熔融状态的硅料在籽晶上继承籽晶的晶向结构进行生长，制得高质量的多晶硅锭。该制备方法能够有效抑制位错的增殖，并且所使用的籽晶来源广泛，成本低，适于大规模生产。本发明同时提供了通过该制备方法获得的高质量的多晶硅锭，以及利用所述多晶硅锭制备获得的多晶硅片。

主权项

多晶硅锭的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在坩埚底部随机铺设籽晶，形成籽晶层，所述随机铺设后，所述籽晶的晶向随机分布或使所述籽晶的晶向杂乱，以形成用于抑制位错滑移的晶界，所述籽晶的晶向不限；所述籽晶为单晶，所述籽晶为边皮料或残次硅料；步骤(1)中所述籽晶为片状、块状或条状；所述籽晶的最大边长度为40～100mm；(2)在所述籽晶层上方设置熔融状态的硅料，控制所述坩埚底部温度低于所述籽晶的熔点，使得所述籽晶层不被完全熔化；(3)控制所述坩埚内的温度沿垂直于 所述坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使得所述熔融状态的硅料在所述籽晶上继承籽晶的晶向结构进行生长，制得多晶硅锭。