[发明专利]多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片

权利要求书

1.多晶硅锭的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)在坩埚底部随机铺设籽晶，形成籽晶层，所述随机铺设后，所述籽晶的晶向随机分布或使所述籽晶的晶向杂乱，以形成用于抑制位错滑移的晶界，所述籽晶的晶向不限；所述籽晶为单晶，所述籽晶为边皮料或残次硅料；步骤(1)中所述籽晶为片状、块状或条状；所述籽晶的最大边长度为40～100mm；

(2)在所述籽晶层上方设置熔融状态的硅料，控制所述坩埚底部温度低于所述籽晶的熔点，使得所述籽晶层不被完全熔化；

(3)控制所述坩埚内的温度沿垂直于 所述坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使得所述熔融状态的硅料在所述籽晶上继承籽晶的晶向结构进行生长，制得多晶硅锭。

2.如权利要求1所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述籽晶的位错密度≤10³个/cm²。

3.如权利要求1所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述籽晶层的厚度为5～50mm。

4.如权利要求1所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中所述在籽晶层上方设置熔融状态的硅料为：在所述籽晶层上方装载固体硅料，对所述坩埚进行加热使得所述硅料熔融，此时，所述熔融状态的硅料设置于所述籽晶层表面。

5.如权利要求1所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中所述在籽晶层上方设置熔融状态的硅料为：在另外一个坩埚内加热固体硅料，制得熔融状态的硅料，将所述熔融状态的硅料浇铸至所述铺设有籽晶层的坩埚内，此时，所述熔融状态的硅料设置于所述籽晶层表面。

6.如权利要求1所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中所述籽晶层不被完全熔化为：未熔化的籽晶层占步骤(1)中铺设的所述籽晶层的5％～95％。